大众文化智能手机中的存储芯片型号汇总

由于对嵌入式（LPDDR4/4X/5）、较低带宽、较低电导部将和较低保有部将的强烈需求，闪存闪存设计是PDA的主要或多或少之一。如今，客户对PDA闪存耐用性的需求与 PC 和漂移数据资料加载完全一致。由于这些原因，包括LG和洋葱在内的全球性PDA厂家已将具有不够精密和尖端系统设计终端的加载装置应用于嵌入式 DRAM 和 NAND 加载模块。

众所周知，对于DRAM，LG、三星电子、SK海力士都早就在市场上公布了D1z商用电子产品DDR4、LPDDR4X或LPDDR5。此外，三星电子 D1α 是 DRAM 上最精密的系统设计终端，也是三组设计中应用于的第一个 15 固态此表列出系统设计。对于NAND加载，商业电子产品有LG、铠侠、西部数据资料、SK海力士、三星电子、Intel和长江加载的112L、128L、144L和176L。

谈到中华人民共和国的PDA品牌，首款、救主、洋葱、OPPO 和 VIVO 是PDA市场的大玩家。在PDA上应用于的嵌入式漂移 DRAM 模块方面，它们有来自三大 DRAM 厂家的 LPDDR4X 或 LPDDR5 DRAM 闪存；LG、SK 海力士和三星电子（此表 1）。此外，他们应用于了精密的 10 固态级 DRAM 终端，例如 D1y 和 D1z。例如，救主 X20 和 OPPO A54 笔记型电脑有三星电子 D1z 和LG D1z LPDDR4X。最精密的 LPDDR5 装置也应用于当前的中华人民共和国品牌PDA，例如，洋葱 Redmi K40 Pro 和 Vivo X70 笔记型电脑具有 S-D1z LPDDR5 闪存和 LPDDR4X LG闪存。

图 1. 现阶段公布的中华人民共和国PDA的嵌入式漂移 DRAM 模块和闪存内容；首款/救主、洋葱、OPPO、VIVO。

作为参阅，对于洋葱 iPhone 和LG Galaxy 笔记型电脑，LG在 2021 年为 Galaxy 21 三部公布了 D1z 代的 LPDDR5 电子产品。例如，洋葱 iPhone 13 三部应用于 4GB 或 6GB LPDDR4X RAM 混和 SK Hynix D1y，混和 A15 5 反应器 GPU仿生闪存。LG刚公布了 S22、S22+ 和 S22 Ultra Galaxy 笔记型电脑，其中板载了LG D1z 16Gb LPDDR5 闪存（K3LK7K70BM-BGCP 填充上标）。

对于中华人民共和国PDA上应用于的NAND加载模块，在大多数情况下，他们应用于主要NAND闪存厂家的92L/96L和128L TLC 3D NAND闪存。去年年初，我们发现了一些 2D eMMC NAND 闪存，例如洋葱 Redmi 9A 笔记型电脑，但是以外中华人民共和国所有PDA都具有 eMMC5.1 或 UFS 3.1 准则的 3D NAND 模块。现阶段公布的OPPO A54和部分救主笔记型电脑运应用于eMMC 5.1，其他笔记型电脑运应用于UFS 3.1标准规范。作为参阅，对于 Apple iPhone，铠侠在2021年iPhone 13、13Pro和13Pro Max的128GB、256GB和512GB加载模块上领先。它们在每台装置中都配备了铠侠的 FXH8 112L 512Gb 闪存。LG在 2021 年为 S21/21+/S21 Ultra拼装了 S-128L TLC NAND电子元件，并在 2022 年为 S22 三部拼装了 S-128L TLC NAND 电子元件。

图 2. 现阶段公布的中华人民共和国PDA的数据资料加载模块和闪存内容；首款/救主、洋葱、OPPO、VIVO。

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