台积电再建4座3纳米笔记本电脑工厂

全因，电子元件制造商宏达电在高科技MOS全面性的入股扩产节奏屡次，可谓“深沟”气十足。据知，宏达电将在陆委不会凤山改建四座3激光的企业，每座都将花费100亿美元建起，共计400亿美元。

6翌年16日，宏达电在2022年宏达电北美系统设计研讨不会上透露，到2025年，宏达电的成熟和特殊节点需求量扩大平均50%。开发计划将在之西方华南地区、陆委不会等地基础设施取而代之企业或扩产，增强宏达电的优势。在高科技MOS的系统设计全面性，宏达电说明，宏达电的N3系统设计将于2022年晚些时候投入投入生产，将采行革命性的宏达电FINFLEX™核心创新。宏达电的N2系统设计将采行激光片放大器核心，在相同功率下比N3反应速度进一步提高10-15%，或在相同反应速度下功率降低25-30%，N2开发计划于2025年开始生产。

宏达电2021年至今的入股总体规划

宏达电在6翌年初刚刚月底将入股336亿美元在凤山基础设施4座取而代之2激光的企业，新生产线占地面积数95万平方米，紧接著的1激光新厂也可能落脚此处，最早2024年大投入生产2激光，2025年实现量产。

6翌年8日，宏达电在股东上说明，宏达电已经拟建了400-440亿美元使用扩建工程和设备系统升级，并下半年在2023年还不会在这些全面性支出超过400亿美元，目地是使宏达电能够保持系统设计加速发展和满足核心内容的未来需求。而此次改建的四座3激光的企业，每座都将花费100亿美元建起，共计正好400亿美元。

据了解，这8座新厂都只是宏达电建起开发计划的一部分，宏达电在陆委不会本土至少有20座新厂正在基础设施之中或即将完工，总占地超过了200万平方米。

早在2021年，宏达电就说明，未来三年将入股1000亿美元，进一步提高其新厂需求量，以满足急剧增长的集成电路市场需求。以外无论如何，宏达电的扩建工程需求量开发计划还将紧接著地顺利进行。

海外扩建工程全面性，全因，韩国金融业产业省说明，宏达电、SONY和电装在韩国高知县基础设施的电子元件新厂的入股总额平均为86亿美元，韩国政府将获取近一半银行贷款，高达4760亿日元（英磅35.2亿美元）。新新厂已于今年4翌年开始基础设施，下半年将于2024年12翌年开始供货，翌年需求量为5.5万片。

SONY电子元件子公司SONY电子元件解决方案社长龙井照士全因公开说明，由于集成电路长期以来严重不足，SONY当前的需求量也十分匮乏，希望能扩展到稳定的集成电路库存的平台，以此进一步提高市场占有率。龙井照士指出：“宏达电能在高知设新厂，为SONY扩展到集成电路库存的平台获取了决心。”

此外，龙井照士认为，韩国电子元件产业多年以来都呈现出了低迷长时间，大学的研究需求量随之增大，人才严重不足疑问一直得以得不到解决。与宏达电的携手对于培训电子元件专业人才有着更加务实的关键作用。

即便如此，集邦咨询发布的简介预期显示，2022年全世界电子元件日本公司市场需求量将比2021年增长20％，达到1287亿美元。2022年，陆委不会的电子元件日本公司全世界市场占有率（按销售额计算）将进一步提高至66％，比2021年扩大2%。集邦预期，陆委不会日本公司企业的市场市场占有率将以宏达电为区域内继续扩大，宏达电的市场占有率将比2021年进一步提高3%，达到56％。陆委不会到2025年将保有全世界电子元件日本公司58％的需求量。

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